掃描電子顯微鏡的制造是依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。當(dāng)一束高能的入射電子轟擊物質(zhì)表面時,被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射。同時,也可產(chǎn)生電子-空穴對、晶格振動 (聲子)、電子振蕩 (等離子體)。被廣泛地應(yīng)用于化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)、冶金、材料、半導(dǎo)體制造、微電路檢查等各個研究領(lǐng)域和工業(yè)部門。
關(guān)于掃描電子顯微鏡的15個問題
1. 光學(xué)顯微鏡以可見光為介質(zhì),電子顯微鏡以電子束為介質(zhì),由于電子束波長遠(yuǎn)較可見光小,故電子顯微鏡分辨率遠(yuǎn)比光學(xué)顯微鏡高。光學(xué)顯微鏡放大倍率最高只有約1500倍,掃描式顯微鏡可放大到10000倍以上。
2. 根據(jù)de Broglie波動理論,電子的波長僅與加速電壓有關(guān):
λe=h / mv= h / (2qmV)1/2=12.2 / (V)1/2 (Å)
在 10 KV 的加速電壓之下,電子的波長僅為0.12Å,遠(yuǎn)低于可見光的4000 - 7000Å,所以電子顯微鏡分辨率自然比光學(xué)顯微鏡*許多,但是掃描式電子顯微鏡的電子束直徑大多在50-100Å之間,電子與原子核的彈性散射 (Elastic Scattering) 與非彈性散射 (Inelastic Scattering) 的反應(yīng)體積又會比原有的電子束直徑增大,因此一般穿透式電子顯微鏡的分辨率比掃描式電子顯微鏡高。
3. 掃描式顯微鏡有一重要特色是具有超大的景深(depth of field),約為光學(xué)顯微鏡的300倍,使得掃描式顯微鏡比光學(xué)顯微鏡更適合觀察表面起伏程度較大的樣品。
4. 掃描式電子顯微鏡,其系統(tǒng)設(shè)計由上而下,由電子槍 (Electron Gun) 發(fā)射電子束,經(jīng)過一組磁透鏡聚焦 (Condenser Lens) 聚焦后,用遮蔽孔徑 (Condenser Aperture) 選擇電子束的尺寸(Beam Size)后,通過一組控制電子束的掃描線圈,再透過物鏡 (Objective Lens) 聚焦,打在樣品上,在樣品的上側(cè)裝有訊號接收器,用以擇取二次電子 (Secondary Electron) 或背向散射電子 (Backscattered Electron) 成像。
5. 電子槍的必要特性是亮度要高、電子能量散布 (Energy Spread) 要小,目前常用的種類計有三種,鎢(W)燈絲、六硼化鑭(LaB6)燈絲、場發(fā)射 (Field Emission),不同的燈絲在電子源大小、電流量、電流穩(wěn)定度及電子源壽命等均有差異。
6. 熱游離方式電子槍有鎢(W)燈絲及六硼化鑭(LaB6)燈絲兩種,它是利用高溫使電子具有足夠的能量去克服電子槍材料的功函數(shù)(work function)能障而逃離。對發(fā)射電流密度有重大影響的變量是溫度和功函數(shù),但因操作電子槍時均希望能以至低的溫度來操作,以減少材料的揮發(fā),所以在操作溫度不提高的狀況下,就需采用低功函數(shù)的材料來提高發(fā)射電流密度。
7. 價錢便宜使用普遍的是鎢燈絲,以熱游離 (Thermionization) 式來發(fā)射電子,電子能量散布為 2 eV,鎢的功函數(shù)約為4.5eV,鎢燈絲系一直徑約100µm,彎曲成V形的細(xì)線,操作溫度約2700K,電流密度為1.75A/cm2,在使用中燈絲的直徑隨著鎢絲的蒸發(fā)變小,使用壽命約為40~80小時。
8. 六硼化鑭(LaB6)燈絲的功函數(shù)為2.4eV,較鎢絲為低,因此同樣的電流密度,使用LaB6只要在1500K即可達(dá)到,而且亮度更高,因此使用壽命便比鎢絲高出許多,電子能量散布為 1 eV,比鎢絲要好。但因LaB6在加熱時活性很強,所以必須在較好的真空環(huán)境下操作,因此儀器的購置費用較高。
9. 場發(fā)射式電子槍則比鎢燈絲和六硼化鑭燈絲的亮度又分別高出 10 - 100 倍,同時電子能量散布僅為 0.2 - 0.3 eV,所以目前市售的高分辨率掃描式電子顯微鏡都采用場發(fā)射式電子槍,其分辨率可高達(dá) 1nm 以下。
10. 場發(fā)射電子槍可細(xì)分成三種:冷場發(fā)射式(cold field emission , FE),熱場發(fā)射式(thermal field emission ,TF),及蕭基發(fā)射式(Schottky emission ,SE)
11. 當(dāng)在真空中的金屬表面受到108V/cm大小的電子加速電場時,會有可觀數(shù)量的電子發(fā)射出來,此過程叫做場發(fā)射,其原理是高電場使電子的電位障礙產(chǎn)生 Schottky效應(yīng),亦即使能障寬度變窄,高度變低,因此電子可直接"穿隧"通過此狹窄能障并離開陰極。場發(fā)射電子系從很尖銳的陰極尖部所發(fā)射出來,因此可得極細(xì)而又具高電流密度的電子束,其亮度可達(dá)熱游離電子槍的數(shù)百倍,或甚至千倍。
12. 場發(fā)射電子槍所選用的陰極材料必需是高強度材料,以能承受高電場所加諸在陰極尖部的高機械應(yīng)力,鎢即因高強度而成為較佳的陰極材料。場發(fā)射槍通常以上下一組陽極來產(chǎn)生吸取電子、聚焦、及加速電子等功能。利用陽極的特殊外形所產(chǎn)生的靜電場,能對電子產(chǎn)生聚焦效果,所以不再需要韋氏罩或柵極。第一(上)陽極主要是改變場發(fā)射的拔出電壓(extraction voltage),以控制針尖場發(fā)射的電流強度,而第二(下)陽極主要是決定加速電壓,以將電子加速至所需要的能量。
13. 要從極細(xì)的鎢針尖場發(fā)射電子,金屬表面必需*干凈,無任何外來材料的原子或分子在其表面,即使只有一個外來原子落在表面亦會降低電子的場發(fā)射,所以場發(fā)射電子槍必需保持超高真空度,來防止鎢陰極表面累積原子。由于超高真空設(shè)備價格極為高昂,所以一般除非需要高分辨率SEM,否則較少采用場發(fā)射電子槍。
14. 冷場發(fā)射式最大的優(yōu)點為電子束直徑最小,亮度最高,因此影像分辨率*。能量散布最小,故能改善在低電壓操作的效果。為避免針尖被外來氣體吸附,而降低場發(fā)射電流,并使發(fā)射電流不穩(wěn)定,冷場發(fā)射式電子槍必需在10-10 torr的真空度下操作,雖然如此,還是需要定時短暫加熱針尖至2500K(此過程叫做flashing),以去除所吸附的氣體原子。它的另一缺點是發(fā)射的總電流最小。
15. 熱場發(fā)式電子槍是在1800K溫度下操作,避免了大部份的氣體分子吸附在針尖表面,所以免除了針尖flashing的需要。熱式能維持較佳的發(fā)射電流穩(wěn)定度,并能在較差的真空度下(10-9 torr)操作。雖然亮度與冷式相類似,但其電子能量散布卻比冷式大3~5倍,影像分辨率較差,通常較不常使用。